NPN PHOTOTRANSISTOR + INFRAROT EMITTING DIODE 10 PAAR

NPN PHOTOTRANSISTOR + INFRAROT EMITTING DIODE 10 PAAR
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NPN PHOTOTRANSISTOR BPW17N Klar
+
INFRAROT EMITTING DIODE CQY37N Blau
10 PAAR


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(Artikelnummer: 10051 - 001)

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NPN PHOTOTRANSISTOR BPW17N Klar
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INFRAROT EMITTING DIODE CQY37N Blau
10 PAAR





  • PHOTOTRANSISTOR, T3/4
  • Wellenlänge, Typ:825nm
  • Leistungsaufnahme:100mW
  • Winkel, Öffnungs-:12°
  • Transistorgehäusestil:T-3/4
  • Pin, Anzahl der:2
  • Gehäusetyp:T-3/4
  • Länge/Höhe, Außen-:2.9mm
  • Sensibilität Nenn-. bei mW/cm2:1mA @ 1mW / cm²
  • Spannung, Ucc(V):5V
  • Spitzenspektralantwortwellenlänge:950nm
  • Strom, Ic typisch:1mA
  • Transistor, Typ:Photo
  • Wandlerpolarität:NPN
  • Winkel, halb:12°
  • Zeit, Anstieg:3.7µs
  • Raster, Anschluss:2.54mm
  • Sensibilität Maximale bei mW/cm2:1,0@1
  • Sensibilität min. bei mW/cm2:0,5@1
  • Zeit, Fall:3.7µs

  • IR EMITTER
  • Wellenlänge, Spitzen-:950nm
  • Strom, If d.:50mA
  • Zeit, Anstieg:800ns
  • Strahlungsintensität:11mW/Sr
  • Winkel, Öffnungs-:24°
  • Versorgungsspannungsbereich:1.3V
  • Diodengehäusestil:T-3/4
  • Pin, Anzahl der:2
  • Gehäusetyp:radial
  • LED/Lampen Größe:T3/4
  • Leistungsverlust:170mW
  • Länge/Höhe, Außen-:2.9mm
  • Raster:2.54mm
  • Spannung, Uf(V) max.:1.3V
  • Spannung, Uf(V), Typ:1.3V
  • Strahlungsintensität max.:5mW/Sr
  • Strahlungsintensität min.:2.2mW/Sr
  • Strom, Durchlaß, If:100mA
  • Temperatur Arbeitsbereich:-25°C bis +85°C
  • Voller Winkel:24°
  • Wellenlänge, Typ:950nm
  • Winkel, halb:12°
  • Zeit, t an:0.4µs
  • Zeit, t aus:0.45µs
  • Glühlampengröße:1.8mm / T-3/4




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